模拟电路
本征半导体
本征半导体载流子浓度
ni=BT3/2e(−Eg2kT)n_i = BT^{3/2}e^{(\frac{-E_g}{2kT})}\\
ni=BT3/2e(2kT−Eg)
Eg为带隙能量(eV),T为温度(K),k为玻尔兹曼常熟(86×10−6eV/K)E_g 为带隙能量(eV),\\
T 为温度(K),\\
k 为玻尔兹曼常熟(86 ×10^{-6} eV/K)
Eg为带隙能量(eV),T为温度(K),k为玻尔兹曼常熟(86×10−6eV/K)
杂质半导体
热平衡状态下空穴-电子对浓度
nopo=ni2n_o p_o = n_i^2
nopo=ni2
n 参杂(donor)的载流子浓度计算
no≈Ndpo=ni2Ndn_o \approx N_d\\
p_o = \frac{n_i^2}{N_d}
no≈Ndpo=Ndni2
Nd为捐献电子杂质的杂质浓度N_d 为捐献电子杂质的杂质浓度
Nd为捐献电子杂质的杂质浓度
p 参杂(acceptor)的载流子浓度计算
po≈Nano=ni2Nap_o \approx N_a\\
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